深圳市华星光电半导体显示技术有限公司赵紫怡获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114335109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111637489.X,技术领域涉及:H10K59/121;该发明授权显示面板及其制备方法是由赵紫怡设计研发完成,并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种显示面板及其制备方法,显示面板包括:阵列基板;阳极,设于阵列基板上;辅助阴极,与阳极同层设置,辅助阴极与阳极之间存在间隙;像素定义层,设于阳极及辅助阴极上;其中,像素定义层在阳极对应的位置上开设有第一开口,用以暴露出所述阳极;像素定义层在辅助阴极对应的位置上开设有第二开口,用以暴露出辅助阴极;发光器件,设于第一开口内;以及面阴极,设于发光器件上,且通过第二开口连接至辅助阴极。本申请辅助阴极与阳极同层设置,面阴极通过第二开口连接至辅助阴极,无需在平坦层上开孔,以优化辅助阴极孔的位置,避免面阴极与辅助阴极搭接不良的现象,进而降低压降效应。
本发明授权显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种显示面板,其特征在于,包括: 阵列基板; 阳极,设于所述阵列基板上; 辅助阴极,与所述阳极同层设置,所述辅助阴极与所述阳极之间存在间隙; 像素定义层,设于所述阳极及所述辅助阴极上;其中,所述像素定义层在所述阳极对应的位置上开设有第一开口,用以暴露出所述阳极;所述像素定义层在所述辅助阴极对应的位置上开设有第二开口,用以暴露出所述辅助阴极; 发光器件,设于所述第一开口内;以及 面阴极,设于所述发光器件上,且通过所述第二开口连接至所述辅助阴极,所述面阴极覆盖所述辅助阴极远离所述基板的一面以及所述辅助阴极靠近所述第二开口的内壁的一面。
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