芜湖启迪半导体有限公司左万胜获国家专利权
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龙图腾网获悉芜湖启迪半导体有限公司申请的专利含超级结的增强型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335134B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111638261.2，技术领域涉及：H10D62/40；该发明授权含超级结的增强型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法是由左万胜;袁松;胡新星;仇成功;刘敏;胡涵;赵海明;钮应喜设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本含超级结的增强型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含超级结的增强型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法，所述含超级结的增强型SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括：SiC衬底层、N型高掺杂4H‑SiC缓冲层、含超级结结构的N型漂移层、4H‑SiC沟道层、3C‑SiC势垒层、P型3C‑SiC层；通过在含有超级结及4H‑SiC3C‑SiC异质结结构的耗尽型外延结构的基础上生长P型3C‑SiC形成含超级结的增强型器件，提高器件可靠性。
本发明授权含超级结的增强型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种含超级结的增强型SiC异质结晶体管外延结构，其特征在于，所述含超级结的增强型SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括：SiC衬底层、N型高掺杂4H-SiC缓冲层、含超级结结构的N型漂移层、4H-SiC沟道层、3C-SiC势垒层、P型3C-SiC层； 所述衬底层为正轴N型SiC衬底层； 所述N型高掺杂4H-SiC缓冲层的厚度为0.5～1μm，N的掺杂浓度为5×1017cm-3～2×1018cm-3。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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