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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利RRAM电流量化电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114244364B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111572881.0，技术领域涉及：H03M1/12；该发明授权RRAM电流量化电路及方法是由余学儒;李琛;段杰斌;田畔;张飞翔设计研发完成，并于2021-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本RRAM电流量化电路及方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种RRAM电流量化电路及方法，所述RRAM电流量化电路包括参考电流源、第一电流镜单元、第二电流镜单元、第三电流镜单元、第四电流镜单元、第一开关单元、第二开关单元、第三开关单元和量化单元，其中，所述参考电流源用于提供初始电流，用于将初始电流按照第一比例缩放后输出参考电流，量化单元用于输出每一次的量化结果，第二电流镜单元用于将所述忆阻器电流按照第二比例缩放后输出初始待测电流，第三电流镜单元用于根据参考电流和待测电流输出残差电流，第四电流镜单元用于将所述残差电流按照第四比例缩放后输出下一时刻的待测电流。本发明的RRAM电流量化电路能够有效降低电流量化时的功耗和误差，减小电路面积。

本发明授权RRAM电流量化电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种RRAM电流量化电路，其特征在于，包括： 参考电流源，用于提供初始电流； 第一电流镜单元，与所述参考电流源电连接，用于将所述初始电流按照第一比例缩放后输出参考电流；量化单元，其输入端与所述第一电流镜单元电连接，用于输出每一次的量化结果； 第二电流镜单元，用于将输入的忆阻器电流按照第二比例缩放后输出初始待测电流； 第三电流镜单元，用于根据所述参考电流和所述初始待测电流输出残差电流； 第四电流镜单元，与所述第三电流镜单元的输出端电连接，用于将所述残差电流按照第四比例缩放后输出下一时刻的待测电流； 第一开关单元，分别与所述第一电流镜单元输出端、所述量化单元输出端和所述第三电流镜单元输入端电连接； 第二开关单元，一端与所述第二电流镜单元输出端电连接，另一端与所述第三电流镜单元输入端、所述第一开关单元电连接； 第三开关单元，一端与所述第四电流镜单元输出端电连接，另一端与所述第三电流镜单元输入端、所述第二开关单元另一端和所述第一开关单元电连接； 所述第一电流镜单元包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管和第八PMOS管，所述第六PMOS管的漏极与所述参考电流源的输出端连接，所述第六PMOS管的漏极与栅极均与所述第八PMOS管的栅极连接，所述第六PMOS管的源极与所述第五PMOS管的漏极连接，所述第五PMOS管的栅极与所述第七PMOS管的栅极连接，所述第七PMOS管的漏极与所述第八PMOS管的源极连接，所述第八PMOS管的漏极与所述第一开关单元一端连接，所述第五PMOS管的栅极和漏极、所述第六PMOS管的源极、所述第七PMOS管的漏极、所述第八PMOS管的源极均与所述量化单元连接，所述第七PMOS管的源极和所述第五PMOS管的源极均接工作电压； 所述第二电流镜单元包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第五NMOS管的漏极输入忆阻器电流，且所述第五NMOS管的漏极分别与所述第五NMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极连接，所述第五NMOS管的源极分别与所述第六NMOS管的漏极、所述第六NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极连接，所述第七NMOS管的漏极与所述第二开关单元的另一端连接，所述第七NMOS管的源极与所述第八NMOS管的漏极连接，所述第八NMOS管的源极和所述第六NMOS管的源极均接地； 所述第三电流镜单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管，所述第二PMOS管的漏极分别与所述第二开关单元一端、所述第三开关单元一端和所述第一开关单元电连接，所述第二PMOS管的漏极与栅极连接，所述第二PMOS管的源极与所述第一PMOS管的漏极连接，所述第一PMOS管的漏极与栅极连接，所述第一PMOS管的栅极与所述第三PMOS管的栅极连接，所述第一PMOS管的源极与所述第三PMOS管的源极均接工作电压，所述第三PMOS管的漏极与所述第四PMOS管的源极连接，所述第二PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极连接； 所述第四电流镜单元包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管，所述第一NMOS管的漏极与所述第三开关单元的另一端连接，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管的栅极和漏极均与所述第四PMOS管的漏极连接，所述第一NMOS管的源极与所述第二NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极连接，所述第四NMOS管的栅极与漏极连接，所述第四NMOS管的漏极与所述第三NMOS管的源极连接，所述第二NMOS管的源极和所述第四NMOS管的源极均接地。

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