深圳市华星光电半导体显示技术有限公司戴晨获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111554193.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法是由戴晨设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。阵列基板包括衬底基板和薄膜晶体管层，薄膜晶体管层设置在衬底基板上；薄膜晶体管层包括第一薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括层叠设置在衬底基板上的第一有源层、第一栅极绝缘层和第一源漏极层，第一栅极绝缘层位于第一有源层和第一源漏极层之间，第一源漏极层包括与第一有源层电连接的第一源极和第一漏极；第一薄膜晶体管还包括第一栅极，第一栅极位于第一栅极绝缘层上，第一栅极与第一源漏极层同层设置。通过将第一栅极与第一源漏极层同层设置，使得第一栅极、第一源极和第一漏极能够采用同一道光罩制成，简化阵列基板的制程工序，提高阵列基板的生产效率，降低生产成本。
本发明授权阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括： 衬底基板； 薄膜晶体管层，设置在所述衬底基板上；所述薄膜晶体管层包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括层叠设置在所述衬底基板上的第一有源层、第一栅极绝缘层和第一源漏极层，所述第一栅极绝缘层位于所述第一有源层和所述第一源漏极层之间，所述第一源漏极层包括与所述第一有源层电连接的第一源极和第一漏极；所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极，所述第一栅极位于所述第一栅极绝缘层上，所述第一栅极与所述第一源漏极层同层设置； 其中，所述第一栅极与所述第一源极和所述第一漏极之间具有间隙，所述第一栅极绝缘层上对应所述间隙的位置开设有第一开孔； 所述阵列基板包括平坦层，所述平坦层设置在所述第一源漏极层和所述第一栅极上，所述平坦层填充所述间隙和所述第一开孔。
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