旺宏电子股份有限公司胡瀚文获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利存储器装置及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115220690B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111558035.3，技术领域涉及：G06F7/52；该发明授权存储器装置及其操作方法是由胡瀚文;李永骏;林柏榕;王淮慕设计研发完成，并于2021-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器装置及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种存储器装置与其操作方法。存储器装置包括：多个页缓冲器，暂存一输入数据；多个存储平面，耦接至这些页缓冲器，多个权重存储于这些存储平面，根据所接收的这些存储平面的多个地址，这些存储平面对这些权重与这些页缓冲器的该输入数据平行进行位元乘法，以平行得到多个位元乘法结果，这些位元乘法结果存回于这些页缓冲器；以及至少一累积电路，耦接至这些页缓冲器，对这些存储平面的这些位元乘法结果平行或依序进行位元累积操作以得到一乘积累加运算结果。
本发明授权存储器装置及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其特征在于，包括： 多个页缓冲器，暂存一输入数据； 多个存储平面，耦接至这些页缓冲器，多个权重存储于这些存储平面，根据所接收的这些存储平面的多个地址，这些存储平面对这些权重与这些页缓冲器的该输入数据平行进行位元乘法，以平行得到多个位元乘法结果，这些位元乘法结果存回于这些页缓冲器；以及 至少一累积电路，耦接至这些页缓冲器，对这些存储平面的这些位元乘法结果平行或依序进行位元累积操作以得到一乘积累加运算结果。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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