国际商业机器公司J·J·诺瓦克获国家专利权
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龙图腾网获悉国际商业机器公司申请的专利每一层具有非均匀厚度的三维漏斗状自旋转移矩MRAM基元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114649471B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111432197.2，技术领域涉及：H10N50/20；该发明授权每一层具有非均匀厚度的三维漏斗状自旋转移矩MRAM基元是由J·J·诺瓦克设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本每一层具有非均匀厚度的三维漏斗状自旋转移矩MRAM基元在说明书摘要公布了：本公开涉及一种每一层具有非均匀厚度的三维漏斗状自旋转移矩MRAM基元。一种用于提供具有双磁隧道结的漏斗状自旋转移矩STT磁阻式随机存取存储器MRAM器件的方法。该方法包括在到半导体器件的连接上提供金属柱。该方法包括在金属柱上且在与金属柱邻近的第一层间电介质的部分上提供第一参考层。该方法包括在第一参考层上提供第一隧道势垒和在第一隧道势垒层上提供自由层。该方法包括提供具有漏斗状自旋转移矩MRAM器件的半导体结构中的在自由层上的第二隧道势垒和在第二隧道势垒上的第二参考层。
本发明授权每一层具有非均匀厚度的三维漏斗状自旋转移矩MRAM基元在权利要求书中公布了：1.一种具有双磁隧道结的漏斗状自旋转移矩STT磁阻式随机存取存储器MRAM器件的半导体结构，所述半导体结构包括： 在到半导体器件的连接上的金属柱； 第一参考层，其在所述金属柱上且在邻近所述金属柱的第一层间电介质的部分上； 在所述第一参考层上的第一隧道势垒； 在所述第一隧道势垒层上的自由层； 在所述自由层上的第二隧道势垒；以及 在所述第二隧道势垒上的第二参考层， 其中，在所述金属柱的侧壁上的所述第二参考层、所述自由层和所述第一参考层的第一部分厚于在半导体晶片表面上方的水平表面上且在所述金属柱的平坦顶部上方的水平表面上的所述第二参考层、所述自由层和所述第一参考层的第二部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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