苏州东微半导体股份有限公司刘伟获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州东微半导体股份有限公司申请的专利半导体超结功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116137283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111359635.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体超结功率器件是由刘伟;刘磊;袁愿林;王睿设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体超结功率器件在说明书摘要公布了：本发明实施例提供的一种半导体超结功率器件，包括n型漏区、n型漂移区、多个p型柱；所述多个p型柱中的每个p型柱的宽度相等，且相邻的两个所述p型柱之间的间距相等；所述多个p型柱中的每个所述p型柱的顶部分别设有与所述p型柱一一对应的p型体区，所述p型体区的宽度均相等；所述p型体区内设有n型源区，控制所述n型源区与所述n型漂移区之间的电流沟道的开启和关断的栅极结构；位于所述n型漂移区上方且介于相邻的所述p型体区之间的JFET区，所述JFET区设有两种或两种以上的不同宽度。本发明可以使得半导体超结功率器件在开启或关断时的栅漏电容突变速度降低，减小半导体超结功率器件的栅极电压震荡。
本发明授权半导体超结功率器件在权利要求书中公布了：1.半导体超结功率器件，其特征在于，包括终端区和元胞区，所述元胞区包括： n型漏区、n型漂移区和多个p型柱，所述多个p型柱中的每个p型柱的宽度相等，且相邻的两个所述p型柱之间的间距相等； 所述多个p型柱中的每个所述p型柱的顶部分别设有与所述p型柱一一对应的p型体区，所述p型体区的宽度均相等； 所述p型体区内设有n型源区；控制所述n型源区与所述n型漂移区之间的电流沟道的开启和关断的栅极结构； 位于所述n型漂移区上方且介于相邻的所述p型体区之间的JFET区，所述JFET区设有两种或两种以上的不同宽度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州东微半导体股份有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20栋515室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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