湖南大学段曦东获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种二维材料横向马赛克异质结阵列及其制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111233908.3，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种二维材料横向马赛克异质结阵列及其制备和应用是由段曦东;张正伟;黄子为;李佳设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二维材料横向马赛克异质结阵列及其制备和应用在说明书摘要公布了：本发明属于二维材料异质结阵列制备领域，具体公开了二维材料横向马赛克异质结阵列的制备方法，获得材料A的单晶纳米片；依次对材料A的单晶纳米片进行激光刻蚀可控热刻蚀，随后再生长材料B，形成由二维材料A和二维材料B构成的边界清晰的马赛克异质结阵列。本发明还提供了所述的制备方法制得的二维材料横向马赛克异质结阵列及其在制备光电学器件中的应用。本发明制备的相关异质结阵列具有原子层级光滑，异质结界线陡峭且平整，几乎没有掺杂，材料光学、电学性能优异；该方法为大规模功能化二维材料器件集成提供了一个全新的材料平台，标志着为基础研究和发展复杂器件和二维异质结构集成电路奠定坚实的材料基础迈出了关键的一步。
本发明授权一种二维材料横向马赛克异质结阵列及其制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种二维材料横向马赛克异质结阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤a：获得材料A的单晶纳米片； 步骤b：对材料A的单晶纳米片进行激光刻蚀，得到阵列化点缺陷的材料A纳米片；所述的材料A为过渡金属的硫化物或硒化物；所述的过渡金属为W、Mo中的至少一种； 步骤c：在步骤b的阵列化点缺陷的材料A纳米片表面覆盖基底材料，随后再在1000~1200℃的温度下热刻蚀10~60s；将阵列化点缺陷的材料A纳米片热刻蚀成具有孔洞结构的材料A纳米片；热刻蚀的气氛为保护气； 步骤d：在步骤（c）制得的材料A纳米片的孔洞区域外延生长材料B异质结，得到A-B横向马赛克异质结阵列； 所述的材料B为过渡金属的硫化物或硒化物；所述的过渡金属为W、Mo中的至少一种；且A≠B。
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