联华电子股份有限公司郭致玮获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利存储装置的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110690213.1，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权存储装置的制作方法是由郭致玮;邱崇益设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储装置的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种存储装置的制作方法包括下列步骤。在基底上形成多个存储单元。各存储单元包括第一电极、第二电极与存储材料层。第二电极在垂直方向上设置在第一电极之上，且存储材料层在垂直方向上设置在第一电极与第二电极之间。在存储单元上形成共形间隙壁层。在共形间隙壁层上形成非共形间隙壁层。形成第一开口在垂直方向上贯穿非共形间隙壁层的侧壁部分以及共形间隙壁层的侧壁部分。
本发明授权存储装置的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储装置的制作方法，包括： 在基底上形成多个存储单元，其中各该存储单元包括： 第一电极； 第二电极，在垂直方向上设置在该第一电极之上；以及 存储材料层，在该垂直方向上设置在该第一电极与该第二电极之间； 在该多个存储单元上形成共形间隙壁层，其中该共形间隙壁层包括： 第一部分，在水平方向上形成在相邻的该多个存储单元之间； 第二部分，形成在各该存储单元的该第二电极的侧壁上；以及 第三部分，在该垂直方向上形成在该多个存储单元上； 在该共形间隙壁层上形成非共形间隙壁层，其中该非共形间隙壁层包括： 第一部分，形成在该共形间隙壁层的该第一部分上； 第二部分，在该水平方向上形成在该共形间隙壁层的该第二部分上；以及 第三部分，在该垂直方向上形成在该多个存储单元上，其中该非共形间隙壁层的该第三部分在该垂直方向上形成在该共形间隙壁层的该第三部分上，且各该存储单元上的该非共形间隙壁层的该第三部分与该非共形间隙壁层的该第二部分的一部分形成凸出物结构；以及 形成第一开口，该第一开口在该垂直方向上贯穿该非共形间隙壁层的该第一部分以及该共形间隙壁层的该第一部分。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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