合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司栗芳芳获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483226B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110602382.5，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板是由栗芳芳;操彬彬;陆相晚;安晖;叶成枝;吕艳明;李法杰设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板在说明书摘要公布了：本发明的实施例公开一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板。该方法包括：在衬底上形成TFT晶体管，包括栅极、栅极绝缘层、有源区、源极和漏极；形成第一无机膜层，覆盖所述显示区；在第一无机膜层上形成第一有机膜区，露出漏极对应的第一无机膜层；形成第二无机膜层，包覆第一有机膜区；在靠近漏极的第二无机膜层上形成公共电极；形成第三无机膜层，覆盖显示区；形成开孔，以露出漏极；在靠近漏极的第三无机膜层上形成像素电极，像素电极与漏极电连接。本发明通过在有机膜层上形成一层高密度的无机膜层作为保护层，从而使得在后续步骤制作公共电极时，使用剥离液剥离光刻胶时，剥离液与有机膜区无法接触，从而有机膜区也就不会出现溶胀。
本发明授权一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板包括显示区，其特征在于，包括： 在衬底上形成TFT晶体管，包括栅极、在所述栅极后依次形成栅极绝缘层、有源区、源极和漏极； 形成第一无机膜层，覆盖所述显示区； 在第一无机膜层上形成第一有机膜区，露出所述漏极对应的第一无机膜层； 形成第二无机膜层，包覆所述第一有机膜区，所述第一有机膜区材料是PAC； 在靠近所述漏极的第二无机膜层上形成公共电极，和所述公共电极上的辅助电极； 所述辅助电极的制备方法包括：利用图案化的第一光刻胶做掩模，对辅助电极层进行图案化，从而形成所述辅助电极；具体包括使用剥离液浸泡去除所述第一光刻胶； 形成第三无机膜层，覆盖所述显示区； 形成开孔，以露出所述漏极； 在靠近所述漏极的第三无机膜层上形成像素电极，所述像素电极与所述漏极电连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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