株式会社国际电气吉野晃生获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864432B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110293140.2，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序是由吉野晃生;大桥直史;高崎唯史设计研发完成，并于2021-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序在说明书摘要公布了：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序。在具有真空输送室的基板处理装置中，其目的为降低输送室的低温区域的水分量。具有：具有加热器的处理室；加载互锁室；输送室，其设置于上述处理室与上述加载互锁室之间，具有上述处理室侧的第一区域和位于比上述第一区域靠上述加载互锁室侧且温度比上述第一区域低的第二区域；检测部，其检测上述输送室中的水分量；以及惰性气体供给部，其能够在上述输送室的内部朝向上述第二区域供给惰性气体。
本发明授权基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序在权利要求书中公布了：1.一种基板处理装置，其特征在于， 具有： 具有加热器的处理室； 加载互锁室； 输送室，其由框体构成且设置于上述处理室与上述加载互锁室之间，具有第一区域和第二区域，该第一区域位于上述处理室侧且设置于构成上述框体的壁，该第二区域设置于构成上述框体的壁中的与上述第一区域不同的区域，位于比上述第一区域靠上述加载互锁室侧且温度比上述第一区域低； 检测上述输送室中的水分量的检测部；以及 惰性气体供给部，在上述水分量为预定值以上的情况下，该惰性气体供给部能够在上述输送室的内部朝向上述第二区域局部地供给惰性气体。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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