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常州佳讯光电产业发展有限公司吕全亚获国家专利权

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龙图腾网获悉常州佳讯光电产业发展有限公司申请的专利一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112821740B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110086631.X,技术领域涉及:H02M1/32;该发明授权一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置是由吕全亚;周俏燕;庄娟梅;陈丽娜设计研发完成,并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。

一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置在说明书摘要公布了:本发明涉及一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置,包括主芯片、基板,主芯片和基板分别设置在金属板的同一平面不同,金属板一侧设有栅极、漏极、源极和金属极;金属板外表面设有封装壳体;主芯片上设有第一触点、第二触点、第三触点,第一触点引出端为栅极,第二触点引出端为漏极,第三触点引出端为源极,第一触点、第二触点和第三触点设置在主芯片不同区域;基板上设有限流电阻、热敏电阻、稳压管;热敏电阻与稳压管并联后与限流电阻串联。该内驱动保护装置通过对碳化硅MOSFET进行栅驱动电压限制和热量限制,有效解决栅驱动电压被击穿和电路热量平衡问题,提高电力电子变换器的可靠性;该碳化硅MOSFET不需要引入外置保护电路,结构简单,装配简便。

本发明授权一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置在权利要求书中公布了:1.一种碳化硅MOSFET内驱动保护装置,其特征在于:包括主芯片、基板,所述主芯片和基板分别设置在金属板的同一平面的不同区域,所述金属板一侧设有栅极、漏极、源极和金属极;所述金属板外表面设有封装壳体; 所述主芯片上设有第一触点、第二触点、第三触点,所述第一触点引出端为栅极,第二触点引出端为漏极,第三触点引出端为源极,所述第一触点、第二触点和第三触点设置在主芯片不同区域; 所述基板上设有限流电阻、热敏电阻、稳压管;限流电阻第一点位与栅极电连接,限流电阻第二点位与热敏电阻第二点位电电连接,热敏电阻第二点位电还与稳压管第二点位电连接,热敏电阻第一点位与稳压管第一点位电连接,所述源极与热敏电阻第一点位或稳压管第一点位电连接;稳压管第二点位与主芯片上第一触点电连接,所述第三触点与源极电连接,所述金属极与第二触点电连接;即所述热敏电阻与稳压管并联后与限流电阻串联。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人常州佳讯光电产业发展有限公司,其通讯地址为:213000 江苏省常州市新北区镜湖路8号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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