三星电子株式会社李东植获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110080779.2，技术领域涉及：H10B43/00；该发明授权三维半导体存储器装置及其制造方法是由李东植;李炳镇;黄盛珉设计研发完成，并于2021-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器装置及其制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种三维半导体存储器装置及其制造方法。该三维半导体存储器装置包括具有单元和连接区的衬底。电极结构设置在衬底上，电极结构在连接区上具有台阶结构。第一竖直沟道结构和第一伪结构分别至少部分地穿透单元区和连接区上的电极结构。第一竖直沟道结构和第一伪结构的扩展部分的底部分别位于第一水平高度处和第二水平高度处。第二水平高度高于第一水平高度。
本发明授权三维半导体存储器装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，包括： 衬底，其包括单元区和连接区； 电极结构，其设置在所述衬底上，所述电极结构在所述连接区上具有台阶结构； 第一竖直沟道结构，其至少部分地穿透所述单元区上的电极结构；以及 第一伪结构，其至少部分地穿透所述连接区上的电极结构， 其中，所述电极结构包括： 第一电极结构，其包括堆叠在所述衬底上的多个第一电极；以及 第二电极结构，其包括堆叠在所述第一电极结构上的多个第二电极， 其中，所述第一竖直沟道结构和所述第一伪结构中的每一个包括： 第一竖直延伸部分，其至少部分地穿透所述第一电极结构； 第二竖直延伸部分，其至少部分地穿透所述第二电极结构；以及 扩展部分，其设置在所述第一竖直延伸部分与所述第二竖直延伸部分之间， 其中，从所述多个第一电极中的最上面的一个第一电极的顶表面至所述第一竖直沟道结构的扩展部分的底部的第一高度小于从所述多个第一电极中的最上面的一个第一电极的顶表面至所述第一伪结构的扩展部分的底部的第二高度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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