爱思开海力士有限公司徐铉哲获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体晶片及其分离方法、半导体芯片和半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921478B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110063272.6，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体晶片及其分离方法、半导体芯片和半导体封装是由徐铉哲设计研发完成，并于2021-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体晶片及其分离方法、半导体芯片和半导体封装在说明书摘要公布了：提供了半导体晶片及其分离方法、半导体芯片和半导体封装。一种半导体晶片包括通过划片道区域彼此隔开的第一芯片区域和第二芯片区域。该半导体晶片还包括设置在划片道区域中的测试焊盘。该半导体晶片另外包括部分覆盖第一芯片区域、第二芯片区域和划片道区域的保护层，其中保护层覆盖测试焊盘的与第一芯片区域相邻的部分，并且暴露第一测试焊盘的剩余部分。
本发明授权半导体晶片及其分离方法、半导体芯片和半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶片，所述半导体晶片包括： 第一芯片区域和第二芯片区域，所述第一芯片区域和所述第二芯片区域在第一方向上通过第一划片道区域彼此隔开； 第一测试焊盘，所述第一测试焊盘设置在所述第一划片道区域中；以及 保护层，所述保护层设置在所述第一芯片区域、所述第二芯片区域和所述第一划片道区域上，并且部分覆盖所述第一划片道区域， 其中，所述保护层覆盖所述第一测试焊盘的与所述第一芯片区域相邻的部分，并且使所述第一测试焊盘的剩余部分暴露。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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