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龙图腾网获悉株式会社新川申请的专利接合装置及接合方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114981936B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080012540.5，技术领域涉及：H01L21/52；该发明授权接合装置及接合方法是由仁平秀治设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本接合装置及接合方法在说明书摘要公布了：本发明的接合装置及接合方法可在层叠接合时抑制半导体芯片连续地向一方向横向偏移。接合装置，包括：位置检测部55，检测半导体芯片的位置，且将所检测到的各位置保存于位置数据库56；位置修正部57，将修正后的接合位置输出；以及接合控制部58，基于自位置修正部57输入的修正后的接合位置来进行半导体芯片的接合，其中，位置修正部57算出各层的半导体芯片间的位置偏移量及累积位置偏移量，在累积位置偏移量为规定的阈值以上的情况下，将半导体芯片的位置仅修正累积位置偏移量而作为修正后的接合位置来输出，接合控制部58在自位置修正部输入的修正后的接合位置进行下一层的半导体芯片的接合。

本发明授权接合装置及接合方法在权利要求书中公布了：1.一种接合装置，其是在基底构件的多个接合区域上分别层叠接合多个半导体芯片的接合装置，其特征在于，包括： 位置检测部，检测所述基底构件的各接合区域的各位置以及层叠接合于所述基底构件的各接合区域上的各层的半导体芯片的各位置，且将所检测到的各位置的数据按照所述基底构件的每个接合区域保存于位置数据库； 位置修正部，一边参照所述位置数据库一边进行接合位置的修正，且将修正后的接合位置输出；以及 接合控制部，基于自所述位置修正部输入的修正后的接合位置来进行半导体芯片的接合，其中 所述位置修正部在每次将各层的半导体芯片接合时，算出所述基底构件的接合区域的位置与接合于所述接合区域上的半导体芯片的位置之间的位置偏移量或者是所接合的其中一半导体芯片的位置与接合于所述其中一半导体芯片的正上方的半导体芯片的位置之间的位置偏移量，且将所算出的各位置偏移量按照所述基底构件的每个接合区域保存于所述位置数据库， 将自层叠接合半导体芯片时的所述基底构件至所接合的层的半导体芯片为止的位置偏移量累计而算出累积位置偏移量， 在所述累积位置偏移量为规定的阈值以上的情况下，对在将要由所述位置检测部来检测之前所接合的层的各半导体芯片的各位置仅修正所述累积位置偏移量，而作为修正后的接合位置来输出； 所述接合控制部在自所述位置修正部输入的修正后的接合位置进行下一层的半导体芯片的接合。

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