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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件、以及具有半导体封装件的叠层封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345858B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011264611.9，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权半导体封装件、以及具有半导体封装件的叠层封装件是由任忠彬;金正雨;金知晃;卞贞洙;沈钟辅;李斗焕;崔敬世;崔正坤;表声磤设计研发完成，并于2020-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装件、以及具有半导体封装件的叠层封装件在说明书摘要公布了：一种半导体封装件包括：再分布层，其包括多个再分布绝缘层、构成下布线层的多个再分布线图案、以及在穿透多个再分布绝缘层中的至少一个再分布绝缘层的同时连接到多个再分布线图案中的一些再分布线图案的多个再分布通孔；至少一个半导体芯片，其被布置在再分布层上；扩展层，其围绕再分布层上的至少一个半导体芯片；以及覆盖布线层，其包括至少一个基本绝缘层、构成上布线层的多个布线图案、以及在穿透至少一个基本绝缘层的同时连接到多个布线图案中的一些布线图案的多个导电通孔。

本发明授权半导体封装件、以及具有半导体封装件的叠层封装件在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装件，包括： 再分布层，包括多个再分布绝缘层、所述多个再分布绝缘层中的每一个再分布绝缘层的上表面和下表面上的构成下布线层的多个再分布线图案、以及在穿透所述多个再分布绝缘层中的至少一个再分布绝缘层的同时连接到所述多个再分布线图案中的一些再分布线图案的多个再分布通孔； 至少一个半导体芯片，布置在所述再分布层上； 扩展层，围绕所述再分布层上的所述至少一个半导体芯片；以及 覆盖布线层，包括至少一个基本绝缘层、所述至少一个基本绝缘层的上表面和下表面上的构成上布线层的多个布线图案，所述多个布线图案包括位于所述至少一个基本绝缘层的上表面上的多个上布线图案和位于所述至少一个基本绝缘层的下表面上的多个下布线图案，并且所述覆盖布线层还包括覆盖所述至少一个基本绝缘层的上表面并且暴露所述多个上布线图案的部分的上表面阻焊层、覆盖所述至少一个基本绝缘层的下表面并且暴露所述多个下布线图案的部分的下表面阻焊层、以及在穿透所述至少一个基本绝缘层的同时连接到所述多个布线图案中的一些布线图案的多个导电通孔， 其中，所述下布线层的数量大于所述上布线层的数量， 其中，所述再分布层的第一厚度小于所述覆盖布线层的第二厚度， 其中，所述扩展层的上表面与所述下表面阻焊层接触，并且 其中，所述扩展层的下表面与所述多个再分布绝缘层中的最上再分布绝缘层接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。