中芯集成电路(宁波)有限公司陈达获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯集成电路(宁波)有限公司申请的专利传感器封装结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114436203B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011210950.9，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权传感器封装结构及方法是由陈达;刘孟彬设计研发完成，并于2020-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本传感器封装结构及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种传感器封装结构及方法，其中，传感器封装结构包括：CMOS电路基板，包括CMOS电路及第一电性连接端；检测结构，包括功能单元及电性引出端；第一围堰，位于CMOS电路和检测结构之间，CMOS电路、第一围堰和检测结构围成第一空腔，第一空腔至少包围部分功能单元；电连接结构，设置于CMOS电路的第一围堰暴露的区域，且将电性引出端与第一电性连接端相连。本发明通过将CMOS电路与检测结构键合，以实现集成封装，以大大缩减封装体积，提高集成度；另外，第一围堰和电连接结构分开设置，电连接结构不必依赖第一围堰形成，在工艺和时间上都比较灵活，降低了CMOS电路在形成空腔和电连接工艺条件的限制，扩大了工艺窗口，并缩短了工艺制程时间。
本发明授权传感器封装结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种传感器封装结构，其特征在于，包括： CMOS电路基板，包括CMOS电路及第一电性连接端； 检测结构，包括功能单元及电性引出端； 第一围堰，位于CMOS电路和检测结构之间，所述CMOS电路、所述第一围堰和所述检测结构围成第一空腔，所述第一空腔至少包围部分所述功能单元； 电连接结构，设置于所述CMOS电路的所述第一围堰暴露的区域，且将所述电性引出端与所述第一电性连接端相连； 检测结构还包括衬底，所述功能单元设置于所述衬底的第一表面，所述电性引出端位于所述衬底远离所述功能单元的第二表面，所述电性引出端通过互连结构与所述功能单元电连，所述第一围堰位于所述衬底的第二表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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