应用材料公司杨奕获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利减少材料表面粗糙度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115280467B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080092564.6，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权减少材料表面粗糙度的方法是由杨奕;K·尼塔拉;K·嘉纳基拉曼;A·爱丁;D·凯德拉亚设计研发完成，并于2020-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本减少材料表面粗糙度的方法在说明书摘要公布了：示例性沉积方法可包括：将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域。方法可包括与含硅前驱物和含硼前驱物一起提供含氢前驱物。含氢前驱物对含硅前驱物或含硼前驱物中的任一者的流率比率大于或约为2：1。方法可包括：在半导体处理腔室的处理区域内形成所有前驱物的等离子体。方法可包括：在设置在半导体处理腔室的处理区域内的基板上沉积硅硼材料。
本发明授权减少材料表面粗糙度的方法在权利要求书中公布了：1.一种沉积方法，包括： 将含硅前驱物和含硼前驱物输送至半导体处理腔室的处理区域； 与所述含硅前驱物和所述含硼前驱物一起提供含氢前驱物，其中所述含氢前驱物对所述含硅前驱物或所述含硼前驱物中的任一者的流率比率大于或等于2：1； 在所述半导体处理腔室的所述处理区域内形成所述含硅前驱物、所述含硼前驱物和所述含氢前驱物的等离子体；以及 在设置在所述半导体处理腔室的所述处理区域内的基板上沉积硅硼材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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