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应用材料公司陈翰文获国家专利权

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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利封装核心组件及制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114787989B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080082028.8,技术领域涉及:H01L23/14;该发明授权封装核心组件及制造方法是由陈翰文;S·文哈弗贝克;朴起伯;K·赵;K·莱斯彻基什;R·胡克;C·布赫;V·迪卡普里奥设计研发完成,并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

封装核心组件及制造方法在说明书摘要公布了:本公开涉及半导体核心组件及其形成方法。本文所述的半导体核心组件可以用于形成半导体封装组件、PCB组件、PCB间隔件组件、芯片载体组件、中间载体组件例如,用于图形卡等。在一个实施例中,通过直接激光图案化来构造硅基板核心。一个或多个导电互连形成于基板核心中,并且一个或多个重新分配层形成于其表面上。随后,硅基板核心可以用作用于半导体封装、PCB、PCB间隔件、芯片载体、中间载体等的核心结构。

本发明授权封装核心组件及制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置组件,包含: 玻璃核心结构,所述玻璃核心结构具有与第二侧相对的第一侧,所述玻璃核心结构进一步包含: 通孔,所述通孔包含通孔表面,所述通孔表面定义了从所述第一侧穿过所述玻璃核心结构延伸至所述第二侧的开口; 导电互连,所述导电互连穿过所述通孔而形成并从所述第一侧与所述第二侧突出; 绝缘层,所述绝缘层直接设置于所述第一侧、所述第二侧和所述通孔表面之上; 第一重新分配层,所述第一重新分配层形成于所述第一侧上;以及 第二重新分配层,所述第二重新分配层形成于所述第二侧上,其中所述第一重新分配层与所述第二重新分配层各自具有形成于其上的一个或多个导电触点。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人应用材料公司,其通讯地址为:美国加利福尼亚州;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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