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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理装置及等离子体处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687511B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011056120.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体处理装置及等离子体处理方法是由佐佐木淳一;佐佐木康晴;花冈秀敏;秋山知彦设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子体处理装置及等离子体处理方法在说明书摘要公布了：本发明中公开的等离子体处理装置的基板支撑器具有保持边缘环的静电卡盘。静电卡盘包括第1电极及第2电极。对基板执行第1等离子体处理期间，在第1及第2电极分别设定彼此相同的电位及彼此不同的电位中的一种电位。对基板执行第2等离子体处理期间，在第1及第2电极分别设定另一种电位。在生成等离子体的状态下，第1电极及第2电极各自的电位从一种电位切换成另一种电位。

本发明授权等离子体处理装置及等离子体处理方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理装置，其具备： 腔室； 基板支撑器，其构成为在所述腔室内支撑基板且具有下部电极及静电卡盘，该静电卡盘构成为具有第1电极及第2电极且通过静电力保持边缘环，该静电力根据分别设定于该第1电极及该第2电极的电位产生； 一个以上的电源，其与所述第1电极及所述第2电极电连接， 高频电源，其构成为供应高频电力以在所述腔室内生成等离子体； 偏置电源，其构成为对所述下部电极供应偏置电力；及 控制部，其构成为控制所述一个以上的电源、所述高频电源及所述偏置电源， 所述控制部进行如下控制： 控制所述高频电源及所述偏置电源，以对载置于所述基板支撑器上的基板执行第1等离子体处理，并控制所述一个以上的电源，以将在所述第1等离子体处理的执行期间内的所述第1电极的电位及所述第2电极的电位分别设定为彼此相同的电位及彼此不同的电位中的一种电位， 控制所述高频电源及所述偏置电源，以对载置于所述基板支撑器上的所述基板执行第2等离子体处理，并控制所述一个以上的电源，以将在所述第2等离子体处理的执行期间内的所述高频电力或所述偏置电力中的至少一种电力的有效值设定为与所述第1等离子体处理的执行期间内的该至少一种电力的有效值不同的值，且将在所述第2等离子体处理的所述执行期间内的所述第1电极的电位及所述第2电极的电位设定为彼此相同的所述电位及彼此不同的所述电位中的另一种电位， 控制所述一个以上的电源，以在所述第1等离子体处理的所述执行期间与所述第2等离子体处理的所述执行期间之间的切换期间，在所述腔室内生成等离子体的状态下，将所述第1电极及所述第2电极各自的电位从所述一种电位切换成所述另一种电位。

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