三星电子株式会社崔容赫获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器装置及其操作方法以及存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112435701B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010788417.4，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权非易失性存储器装置及其操作方法以及存储装置是由崔容赫;柳载德;李康斌;沈相元;任琫淳设计研发完成，并于2020-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本非易失性存储器装置及其操作方法以及存储装置在说明书摘要公布了：提供了一种非易失性存储器装置、存储装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置的各个存储器块包括柱的第一部分的第一存储器单元和柱的第二部分的第二存储器单元。当在从存储器块选择的存储器块处基于连续地址执行编程操作时，非易失性存储器装置顺序地完成第一存储器单元和第二存储器单元当中不与第一部分和第二部分的边界相邻的非相邻存储器单元的第一编程操作，然后完成与边界相邻的相邻存储器单元的第二编程操作。
本发明授权非易失性存储器装置及其操作方法以及存储装置在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置，包括： 存储器单元阵列，其设置在衬底上，其中，所述存储器单元阵列包括多个存储器块； 行解码器，其通过字线连接到所述存储器单元阵列；以及 页缓冲器，其通过位线连接到所述存储器单元阵列， 其中，所述多个存储器块中的每一个包括柱，所述柱包括设置在所述衬底上的第一部分以及设置在所述第一部分上的第二部分， 其中，所述第一部分的宽度随着距所述衬底的距离增加而增加，并且第一导电材料和第一绝缘层围绕所述第一部分并且在所述衬底上依次堆叠， 其中，所述第二部分的宽度随着距所述衬底的距离增加而增加，并且第二导电材料和第二绝缘层围绕所述第二部分并且在所述衬底上依次堆叠， 其中，第一边界位于所述第一部分与所述第二部分之间， 其中，所述第一导电材料与所述第一部分一起形成第一存储器单元，并且所述第二导电材料与所述第二部分一起形成第二存储器单元，并且 其中，当在所述多个存储器块中的选择的存储器块中基于连续地址执行编程操作时，所述行解码器和所述页缓冲器被配置为在顺序地完成来自所述第一存储器单元和所述第二存储器单元当中的不与所述第一边界相邻的非相邻存储器单元的第一编程操作之后完成与所述第一边界相邻的相邻存储器单元的第二编程操作。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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