台湾积体电路制造股份有限公司王俊杰获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利栅极结构、半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112310200B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010711928.6，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权栅极结构、半导体器件及其形成方法是由王俊杰;叶升韦;白岳青;杨淇任设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本栅极结构、半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：提供一种栅极结构和一种形成栅极结构的方法。栅极结构包含栅极介电层、金属层以及簇层。金属层安置在栅极介电层上方。簇层包夹在金属层与栅极介电层之间，其中簇层至少包含非晶硅层、非晶碳层或非晶锗层。另外，提供一种包含栅极结构的半导体器件。
本发明授权栅极结构、半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种栅极结构，包括： 金属层，安置在栅极介电层上方； 簇层，包夹在所述金属层与所述栅极介电层之间，其中所述簇层至少包括功函数金属层、阻障层、粘合层以及顶盖层；以及 氮氧化钛层，安置在所述金属层与所述簇层之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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