三星电子株式会社洪志硕获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利晶片至晶圆结合结构以及使用其的半导体封装件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112701100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010640793.9，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权晶片至晶圆结合结构以及使用其的半导体封装件是由洪志硕;姜芸炳;姜明成;金泰勋;朴相天;李赫宰;黄智焕设计研发完成，并于2020-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片至晶圆结合结构以及使用其的半导体封装件在说明书摘要公布了：根据本发明构思的一方面，提供了一种晶片至晶圆结合结构，其包括晶片，该晶片具有第一测试焊盘、形成在第一测试焊盘上的第一结合焊盘以及第一绝缘层，第一结合焊盘穿透第一绝缘层。该结构还可包括晶圆，该晶圆具有第二测试焊盘、形成在第二测试焊盘上的第二结合焊盘以及第二绝缘层，第二结合焊盘穿透第二绝缘层。该结构还可包括围绕第一结合焊盘的所有侧表面和第二结合焊盘的所有侧表面的聚合物层，该聚合物层布置在晶片和晶圆之间。此外，晶圆和晶片可被结合在一起。
本发明授权晶片至晶圆结合结构以及使用其的半导体封装件在权利要求书中公布了：1.一种晶片至晶圆结合结构，所述结构包括： 晶片，其包括第一测试焊盘、形成在所述第一测试焊盘上的第一结合焊盘以及第一绝缘层，所述第一结合焊盘穿透所述第一绝缘层； 晶圆，其包括第二测试焊盘、形成在所述第二测试焊盘上的第二结合焊盘以及第二绝缘层，所述第二结合焊盘穿透所述第二绝缘层；以及 聚合物层，其围绕所述第一结合焊盘的所有侧表面和所述第二结合焊盘的所有侧表面，所述聚合物层被布置在所述晶片和所述晶圆之间， 其中，所述晶圆和所述晶片被结合在一起， 其中，所述结构还包括：包括所述第一测试焊盘的多个第一测试焊盘， 其中，所述多个第一测试焊盘中的至少一个第一测试焊盘上未形成对应的第一结合焊盘， 其中，不平坦部分被形成在其上未形成对应的第一结合焊盘的所述至少一个第一测试焊盘的表面上，并且 其中，所述聚合物层填充所述不平坦部分。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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