新唐科技日本株式会社中西和幸获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技日本株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114365285B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080063006.7，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权半导体装置是由中西和幸;平田昭夫设计研发完成，并于2020-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的一技术方案的半导体装置，具备：多个布线层M1～M3；第1布线11；以及第2布线12，不与第1布线11连接，并且为了传递与第1布线11相同的信号电平而冗余地设置；第1布线11和第2布线12属于不同的布线层；第1布线11与第2布线12的距离比相邻的布线层的层间距离c大。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于， 具备： 多个布线层，包含至少3个布线层，相邻的布线层以离开层间距离的方式构成； 第1布线；以及 第2布线，不与上述第1布线连接，并且为了传递与上述第1布线相同的信号电平而设置； 上述第1布线和上述第2布线至少属于相邻的不同的布线层； 上述第1布线与上述第2布线的距离比相邻的布线层的层间距离大； 在上述半导体装置的平面视图中，上述第1布线和上述第2布线具有交叉的重叠的部分； 上述重叠的部分属于与上述第1布线及上述第2布线所属的上述相邻的不同的布线层都不同的布线层； 上述重叠的部分的上述第1布线与上述第2布线的距离为上述层间距离的2倍以上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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