福建省晋华集成电路有限公司颜逸飞获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210010098.3，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构是由颜逸飞;朱家仪设计研发完成，并于2020-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构。通过在栅极结构的侧边设置底部依次降低的至少两个隔离侧墙，并使接触插塞的底部进一步降低而延伸至衬底中，进而使得金属硅化物层内陷在衬底的较深位置中，增加了金属硅化物层和栅极结构之间的距离。如此，即可有效改善在金属硅化物层的制备过程中以及金属硅化物层制备完成后出现的金属扩散至栅极结构的问题。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 至少一个栅极结构，形成在所述衬底上； 第一隔离侧墙，位于所述衬底表面上，覆盖所述栅极结构的侧壁，并且所述第一隔离侧墙的底部低于所述栅极结构的底部； 第二隔离侧墙，覆盖所述第一隔离侧墙远离栅极结构的侧壁，并且所述第二隔离侧墙的底部低于所述第一隔离侧墙的底部； 第三隔离侧墙，覆盖所述第二隔离侧墙远离栅极结构的侧壁，并且所述第三隔离侧墙的底部低于所述第一隔离侧墙的底部； 接触插塞，形成在所述第三隔离侧墙远离所述栅极结构的侧边，并且所述接触插塞的底部低于所述第二隔离侧墙的底部并延伸至所述衬底中；以及， 金属硅化物层，位于所述接触插塞底部的衬底中，并直接接触所述接触插塞和所述衬底，所述金属硅化物层靠近所述栅极结构的边界落在所述第一隔离侧墙和所述第三隔离侧墙之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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