德州仪器公司胡炳华获国家专利权
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龙图腾网获悉德州仪器公司申请的专利具有深沟槽隔离及沟槽电容器的半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112840450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980067474.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权具有深沟槽隔离及沟槽电容器的半导体装置是由胡炳华;A·萨多夫尼科夫;A·阿里;Y·潘;S·赫策设计研发完成，并于2019-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有深沟槽隔离及沟槽电容器的半导体装置在说明书摘要公布了：本发明揭示一种半导体装置100，其具有隔离结构120及沟槽电容器130，所述隔离结构120及所述沟槽电容器130各自使用单个抗蚀剂掩模蚀刻不同宽度及不同深度的对应第一及第二沟槽121、131来形成，并且具有形成于沟槽侧壁上的电介质衬层121、131及填充所述沟槽121、131的多晶硅126、136及环绕所述沟槽121、131的深掺杂区域122、132，包含金属化结构154、156的将所述隔离结构沟槽121的所述多晶硅126连接到所述深掺杂区域122以形成隔离结构120的导电特征160、162。
本发明授权具有深沟槽隔离及沟槽电容器的半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其包括： 半导体表面层，其具有第一导电类型； 掩埋层，其具有第二导电类型，所述掩埋层设置在半导体衬底上和所述半导体表面层下； 金属化结构，其在所述半导体表面层上延伸；及 隔离结构，其包含： 第一沟槽，其从所述半导体表面层的顶侧延伸通过所述掩埋层并进入所述半导体衬底， 第一电介质衬层，其沿着所述第一沟槽的侧壁延伸， 第一多晶硅，其具有所述第一导电类型，所述第一多晶硅在所述第一电介质衬层内部延伸且填充所述第一沟槽到所述半导体表面层的所述顶侧， 第一掺杂区域，其具有所述第二导电类型，所述第一掺杂区域环绕所述第一沟槽的轮廓且从所述半导体表面层的所述顶侧线性地延伸通过所述掩埋层，及 所述金属化结构的第一导电特征，其将所述第一多晶硅连接到所述第一掺杂区域。
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