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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310085511.7，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体处理装置是由横田聪裕;伴瀬贵德;高良穣二;森北信也;奥西直彦设计研发完成，并于2018-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种等离子体处理装置，其包括执行以下步骤a～步骤e的控制部，将基片放置在基片支承件上的步骤a；在腔室中利用第一RF信号和第二RF信号从第一气体形成第一等离子体的步骤b，在步骤b中，第二RF信号以0以上的第一电功率被供给至下部电极；使基片暴露在第一等离子体中的步骤c；在腔室中利用第一RF信号、第二RF信号和磁场从第二气体形成第二等离子体的步骤d，在步骤d中，第二RF信号以大于第一电功率的第二电功率被供给至下部电极；和使基片暴露在第二等离子体中的步骤e。

本发明授权等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括： 具有至少一个用于第一气体和第二气体的入口的腔室； 设置在所述腔室中的基片支承件，所述基片支承件具有用于支承基片的表面，该表面具有第一区域和围绕所述第一区域的第二区域； 设置在所述基片支承件内的下部电极； 供给具有第一频率的第一RF信号的第一RF电源； 与所述下部电极电连接的第二RF电源，该第二RF电源供给具有比所述第一频率低的第二频率的第二RF信号； 在所述腔室中形成磁场的电磁铁，该磁场在所述第一区域上具有第一成分并且在所述第二区域上具有比所述第一成分大的第二成分；和 执行以下步骤a～步骤e的控制部， 将基片放置在所述基片支承件上的步骤a； 在所述腔室中利用所述第一RF信号和所述第二RF信号从所述第一气体形成第一等离子体的步骤b，在步骤b中，所述第二RF信号以0以上的第一电功率被供给至所述下部电极； 使所述基片暴露在所述第一等离子体中的步骤c； 在所述腔室中利用所述第一RF信号、所述第二RF信号和所述磁场从所述第二气体形成第二等离子体的步骤d，在步骤d中，所述第二RF信号以大于所述第一电功率的第二电功率被供给至所述下部电极；和 使所述基片暴露在所述第二等离子体中的步骤e， 所述控制部执行步骤f，该步骤f反复执行所述步骤b～步骤e。

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