II-VI有限公司W-Q·许获国家专利权
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龙图腾网获悉II-VI有限公司申请的专利包括金刚石层以及金刚石和碳化硅以及任选的硅的复合层的基板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114411118B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210096370.4，技术领域涉及：C23C16/27；该发明授权包括金刚石层以及金刚石和碳化硅以及任选的硅的复合层的基板是由W-Q·许;埃尔金·E·伊斯勒;C·刘;查尓斯·D·坦纳;查尓斯·J·克莱辛格尔;迈克尔·阿格哈亚尼安设计研发完成，并于2015-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括金刚石层以及金刚石和碳化硅以及任选的硅的复合层的基板在说明书摘要公布了：多层基板包括在复合层上CVD生长的金刚石层。该复合层包括金刚石和碳化硅与任选的硅的颗粒。该复合层中的金刚石的载荷水平按体积计可为≥5％、≥20％、≥40％、或≥60％。该多层基板能够用作光学器件；用于检测辐射粒子或电磁波的检测器；用于切割、钻孔、机械加工、碾磨、研磨、抛光、涂布、粘结、或钎焊的装置；制动装置；密封条；导热体；电磁波导体；在升高的温度下或在低温条件下用于腐蚀性环境、强氧化性环境、或强还原性环境的化学惰性装置；或用于抛光或平坦化其它器件、晶圆或膜的装置。
本发明授权包括金刚石层以及金刚石和碳化硅以及任选的硅的复合层的基板在权利要求书中公布了：1.一种多层基板，包括： 包含金刚石颗粒、碳化硅颗粒以及硅颗粒的复合基板层，其中所述硅颗粒与所述金刚石颗粒反应而形成碳化硅界面层，未反应的硅渗透在所述金刚石颗粒和所述碳化硅颗粒之间而使得复合基板层为完全致密且无孔隙的；以及 金刚石层，其通过化学气相沉积生长于所述复合基板层的所述金刚石颗粒或碳化硅颗粒的至少一者上， 其中所述金刚石层包含多晶金刚石， 其中所述复合基板层的所述金刚石颗粒的金刚石晶格暴露于所述复合基板层的表面，使得所述碳化硅界面层不存在于所述金刚石晶格上，并且使得所述金刚石层的金刚石通过sp3碳-碳键合而连接至所述金刚石晶格上， 所述复合基板层中的金刚石颗粒的载荷水平按体积计为40％以上70％以下。
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