江西理工大学;韩亚半导体材料(贵溪)有限公司熊仕显获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉江西理工大学;韩亚半导体材料(贵溪)有限公司申请的专利一种电子级镂空结构氧化铜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120483232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510969472.6，技术领域涉及：C01G3/02；该发明授权一种电子级镂空结构氧化铜及其制备方法是由熊仕显;刘传龙;严浩东;曹磊;徐一特;李明茂;陈亮设计研发完成，并于2025-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电子级镂空结构氧化铜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种电子级镂空结构氧化铜及其制备方法，属于氧化铜制备领域。该方法包括：铜盐与乙二胺四乙酸、辅助络合剂混合进行陈化络合获得络合液；络合液分段滴加沉淀剂梯度沉淀；依次进行离心、洗涤、干燥、煅烧。辅助络合剂采用有机羧酸铵盐；梯度沉淀中第一阶段滴加时温度为40℃~45℃，滴加至pH=5.0~5.5结束；第二阶段滴加时升温至55℃~60℃，滴加至pH=6.5~7.0结束；第三阶段滴加时升温至70℃~75℃，滴加至pH=7.5~8.0结束。本发明采用乙二胺四乙酸与有机羧酸铵盐的双体系络合铜离子，通过分段控温的梯度沉淀法实现前驱体自组装，在无模板剂的情况下制得具有三维贯通孔道结构的氧化铜。
本发明授权一种电子级镂空结构氧化铜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电子级镂空结构氧化铜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： 铜盐溶液与络合剂、辅助络合剂按照预设比例混合进行陈化络合，获得络合液； 在所述络合液中分段滴加沉淀剂进行梯度沉淀； 依次进行离心、洗涤、干燥、煅烧，获得电子级镂空结构氧化铜； 所述络合剂采用乙二胺四乙酸；所述辅助络合剂采用有机羧酸铵盐；所述沉淀剂采用碳酸氢铵溶液； 所述梯度沉淀分为三段式滴加，其条件控制为： 第一阶段滴加时温度为40℃~45℃，滴加至pH=5.0~5.5结束； 第二阶段滴加时升温至55℃~60℃，滴加至pH=6.5~7.0结束； 第三阶段滴加时升温至70℃~75℃，滴加至pH=7.5~8.0结束。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西理工大学;韩亚半导体材料(贵溪)有限公司，其通讯地址为：341000 江西省赣州市章贡区红旗大道86号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号