英诺赛科(珠海)科技有限公司程浪获国家专利权
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龙图腾网获悉英诺赛科(珠海)科技有限公司申请的专利一种封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969741B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411099627.7，技术领域涉及：H01L23/29；该发明授权一种封装结构是由程浪;陈邦星;曹凯设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种封装结构，包括：框架、待封装芯片和塑封层；其中，框架包括主体部和至少一个管脚，待封装芯片设置于主体部表面；塑封层设置于框架设置有待封装芯片的表面；塑封层与框架之间具有第一空腔，待封装芯片设置于第一空腔中；且塑封层填充于主体部和管脚之间的缝隙中。本发明避免了塑封层在短路测试时发生起火和熔化，提高了封装结构的安全性。
本发明授权一种封装结构在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 框架、待封装芯片和塑封层； 其中，所述框架包括主体部和至少一个管脚，所述待封装芯片设置于所述主体部表面； 所述塑封层设置于所述框架设置有所述待封装芯片的表面，所述塑封层与所述框架之间具有第一空腔，所述待封装芯片设置于所述第一空腔中；且所述塑封层填充于所述主体部和所述管脚之间的缝隙中； 所述至少一个管脚包括预设管脚，所述预设管脚邻近所述待封装芯片的表面设置有连接件，所述连接件包括绝缘热形变部和导电部，所述绝缘热形变部和所述导电部固定连接，所述绝缘热形变部的一端与所述预设管脚固定连接； 所述待封装芯片的芯片引脚通过连接线与所述导电部电连接；在温度小于预设温度时，所述导电部的部分区域与所述预设管脚接触；温度大于或等于预设温度时，所述绝缘热形变部受热体积变大，使所述导电部与所述预设管脚分离。
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