深圳市华星光电半导体显示技术有限公司阳宏获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利OLED显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117596938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311817006.3,技术领域涉及:H10K59/12;该发明授权OLED显示面板及其制备方法是由阳宏;覃事建;袁夏梁设计研发完成,并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本OLED显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种OLED显示面板及其制备方法,包括:阵列基板,包括阵列设置的TFT器件;发光器件,设置于阵列基板之上,发光器件包括上电极、下电极、以及位于上电极与下电极之间的发光功能层,阵列基板上具有对应于相邻发光器件之间的走线开口;绝缘层,设置于发光器件的上电极上,绝缘层上设置有漏出上电极的通孔;像素定义层,设置于阵列基板上,且至少部分覆盖发光器件的边缘,像素定义层至少包括对应于发光器件的像素开口;第三电极,设置于像素定义层上;其中,上电极通过第三电极与TFT器件电性连接,下电极与阵列基板上的走线电性连接。应用本发明的技术方案,可以改善相关技术中显示性能差的技术问题。
本发明授权OLED显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括: 阵列基板,包括阵列设置的TFT器件; 发光器件,设置于所述阵列基板之上,所述发光器件包括上电极、下电极、以及位于所述上电极与所述下电极之间的发光功能层,所述阵列基板上具有对应于相邻所述发光器件之间的走线开口; 绝缘层,设置于所述发光器件的所述上电极上,所述绝缘层上设置有漏出所述上电极的通孔; 像素定义层,设置于所述阵列基板上,且至少部分覆盖所述发光器件的边缘,所述像素定义层至少包括对应于所述发光器件的像素开口; 第三电极,设置于所述像素定义层上,所述第三电极的一端通过所述通孔与所述上电极电性连接,所述第三电极的另一端通过所述走线开口与所述TFT器件电性连接; 其中,所述上电极通过所述第三电极与所述TFT器件电性连接,所述下电极与所述阵列基板上的走线电性连接。
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