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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种压电式调谐质量率无关阻尼器及其参数设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116557465B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310561424.4，技术领域涉及：F16F13/00；该发明授权一种压电式调谐质量率无关阻尼器及其参数设计方法是由翁顺;蒋浚启;罗浩;朱宏平;吴俐滢设计研发完成，并于2023-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种压电式调谐质量率无关阻尼器及其参数设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种压电式调谐质量率无关阻尼器及其参数设计方法，相比传统的调谐质量阻尼器，对阻尼器中原有的线性粘滞阻尼元件进行了替换，将其改变为率无关线性阻尼元件，从而提供独立于振动频率的阻尼力。并且进一步地，在进行了阻尼元件的替换后，为了使压电式调谐质量率无关阻尼器对结构在地震荷载激励下的位移响应控制效果达到最优，本发明基于主结构和地面运动位移传递函数，以主结构位移峰值响应取最小值为目标，提出了压电式调谐质量率无关阻尼器的参数优化设计方法。

本发明授权一种压电式调谐质量率无关阻尼器及其参数设计方法在权利要求书中公布了：1.一种压电式调谐质量率无关阻尼器的参数设计方法，包括： S101、基于所述压电式调谐质量率无关阻尼器的概念模型，建立系统的动力学方程： 其中，x＝Xeiωt为主结构位移，x0＝X0eiωt为地面运动位移，xd＝Xdeiωt为阻尼器位移；ω为激励频率；X、X0、Xd分别为主结构位移振幅、地面运动位移振幅、阻尼器位移振幅，md、m分别为阻尼器、主结构的质量，kd、k分别为阻尼器、主结构的刚度，Fd为率无关阻尼力； S102、建立所述率无关阻尼力在频域下的表达式: Fd＝2iξkdsgnωXd-Xeiωt 其中，sgnω为符号函数，ξ为所述阻尼器的阻尼比； S103、根据所述系统的动力学方程和所述率无关阻尼力在频域下的表达式，建立所述系统的动力学方程在频域下的表达式: S104、由所述系统的动力学方程在频域下的表达式，推导得到所述主结构位移和所述地面运动位移的振幅比: S105、由所述主结构位移和所述地面运动位移的振幅比推导得到目标函数，即所述主结构位移和所述地面运动位移振幅比XX0的平方Rd如下： 其中，μ＝mdm，β＝ωdω0，γ＝ωω0，所述主结构的频率所述阻尼器的频率α＝ξsgnω； S106、利用定点理论对所述目标函数Rd进行优化,得到所述压电式调谐质量率无关阻尼器的最优刚度和最优阻尼比为： kd opt＝mdβopt·ω02 其中，βopt为主结构的最优频率比。

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