北京超弦存储器研究院艾学正获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118946138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310539542.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备是由艾学正;王祥升;王桂磊;赵超;桂文华设计研发完成，并于2023-05-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。本申请的半导体器件包括一层或多层沿着第三方向垂直堆叠的存储单元、沿着第三方向延伸的字线、沿着第二方向延伸且至少部分环绕字线的位线；多层垂直堆叠的多个存储单元共用一条字线，且连接到不同的位线；各存储单元的晶体管的半导体层沿着第三方向延伸且全环绕字线；每个存储单元的电容器的第一电极沿着第一方向延伸且至少部分环绕半导体层，第一方向与第二方向交叉且均处于垂直于第三方向的平面内；各第一电极和位线分别环绕在半导体层的侧壁沿第三方向上的不同区域；晶体管的沟道方向与字线的延伸方向一致。本申请提供的存储器架构能够有效地提高存储密度而且制造工艺简单。
本发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括多层沿着第三方向垂直堆叠的存储单元、沿着所述第三方向延伸的字线、沿着第二方向延伸且至少部分环绕所述字线的位线； 多层垂直堆叠的多个存储单元共用一条所述字线，且连接到不同的所述位线； 所述存储单元包括晶体管和电容器，所述晶体管包括半导体层，所述电容器包括第一电极； 所述半导体层沿着所述第三方向延伸且全环绕所述字线； 所述第一电极沿着第一方向延伸且至少部分环绕所述半导体层，所述第一方向与所述第二方向交叉且均处于垂直于所述第三方向的平面内； 各第一电极和所述位线分别环绕在所述半导体层的侧壁沿所述第三方向上的不同区域； 所述晶体管的沟道方向与所述字线的延伸方向一致。
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