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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种抗侧信号攻击存储单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115374491B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211010294.7，技术领域涉及：G06F21/78；该发明授权一种抗侧信号攻击存储单元是由柏娜;马君武;许耀华;王翊;吕纪明;陈小杰设计研发完成，并于2022-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗侧信号攻击存储单元在说明书摘要公布了：本申请公开一种抗侧信号攻击存储单元，该抗侧信号攻击存储单元包括写操作电路，具有一对互补存储节点；行为模仿电路，与所述写操作电路结构一致，所述行为模仿电路具有一对互补伪存储节点；读操作电路，与所述写操作电路连接；其中，所述行为模仿电路用于在所述写操作电路写入数据后，模仿所述写操作电路的互补状态，以保证所述抗侧信号攻击存储单元在存储不同数据时功耗的一致性。本申请设置与写操作电路结构一致的行为模仿电路，在写操作电路写入数据后，利用行为模仿电路模仿写操作电路的互补状态，以保证所述抗侧信号攻击存储单元在存储不同数据时功耗的一致性，提高了存储单元抗功耗攻击的能力。

本发明授权一种抗侧信号攻击存储单元在权利要求书中公布了：1.一种抗侧信号攻击存储单元，其特征在于，包括： 写操作电路，具有一对互补存储节点； 行为模仿电路，与所述写操作电路结构一致，所述行为模仿电路具有一对互补伪存储节点； 读操作电路，与所述写操作电路连接； 其中，所述行为模仿电路用于在所述写操作电路写入数据后，模仿所述写操作电路的互补状态，以保证所述抗侧信号攻击存储单元在存储不同数据时功耗的一致性； 所述抗侧信号攻击存储单元包括4个PMOS管和12个NMOS管，4个PMOS管分别定义为P1管-P4管，10个NMOS管分别定义为N1管-N10管；其中， N1管-N4管构成所述读操作电路：N1管的源极连接到第一位线、栅极与读字线信号连接、漏极与N2管的漏极相连，N2管的栅极连接到第一存储节点，N2管的源极接地，N4管的源极与第二位线相连、栅极与读字线信号、漏极与N3管的漏极相连，N3管的栅极接到第二存储节点，N3管的源极接地； P1管、P2管、N5管-N7管构成所述写操作电路：N5管的漏极接到第一位线，N5管的栅极连接写字线信号，N5管的源极与P1管的漏极、N6管的栅极、P2管的栅极相连构成第一存储节点，P1管的源极和P2管的源极相连并连接到电源，P1管的栅极与P2管的漏极、N6管的漏极相连构成第二存储节点，N6管的源极接地，N7管的源极连接到第一存储节点、漏极连接到第二存储节点、栅极连接刷新信号，其中，N5管作为所述写操作电路的传输管，所述第一存储节点与所述第二存储节点构成一对互补存储节点； P3管、P4管、N8管-N10管构成所述行为模仿电路：N8的源极与N4管的漏极相连，N8管的栅极与写模仿信号相连，N8管的漏极与P3管的漏极、N9管的栅极、P4管的栅极相连构成所述行为模仿电路的第一伪存储节点，P3管的源极和P4管的源极相连并连接到电源，P3管的栅极连接P4管的漏极、N9管的漏极构成第二伪存储节点，N9管的源极接地，N10管的源极连接到所述行为模仿电路的第二伪存储节点、漏极连接到第一伪存储节点、栅极连接刷新信号，其中，N8管作为所述行为模仿电路的传输管，所述第一伪存储节点与所述第二伪存储节点构成一对互补伪存储节点。

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