湖南三安半导体有限责任公司房育涛获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南三安半导体有限责任公司申请的专利高电子迁移率晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472671B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211009504.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权高电子迁移率晶体管及其制备方法是由房育涛;刘浪;叶念慈;张洁设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。高电子迁移率晶体管包括衬底、外延层、源极、漏极、栅极和应力补偿层：外延层至少包括：第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层，第一半导体层和第二半导体层为异质结构；源极、漏极和栅极彼此间隔地设置于外延层上且栅极设置于源极与漏极之间。通过在栅极面向漏极的侧壁设置与第二半导体层的压电系数相反的应力补偿层，可以在高压下产生与第二半导体层相反的逆压电应力减小第二半导体层在高压下的应力形变从而提高第二半导体层的击穿电场强度，还可以降低栅极边缘的二维电子气浓度调节栅极边缘电场强度，从而提高器件的耐压性以及减小对多级场板的需求，进而简化器件的制备工艺。
本发明授权高电子迁移率晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，设置在所述衬底的表面，所述外延层至少包括：第一半导体层和设置在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层为异质结构； 源极、漏极和栅极，彼此间隔地设置于所述外延层上且所述栅极设置于所述源极与所述漏极之间；其中，所述栅极具有面向所述漏极的侧壁； 应力补偿层，设置于所述第二半导体层上，且与所述栅极的所述侧壁接触；所述应力补偿层的压电系数与所述第二半导体层的压电系数相反； 所述应力补偿层的厚度大于20nm，且小于或等于1000nm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南三安半导体有限责任公司，其通讯地址为：410221 湖南省长沙市高新开发区长兴路399号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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