武汉华星光电技术有限公司艾飞获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利阵列基板及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115347000B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210927791.7，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板及显示面板是由艾飞;宋德伟;龙时宇设计研发完成，并于2022-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板及显示面板在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种阵列基板及显示面板。阵列基板包括有源层，该有源层包括沟道部、掺杂部，该掺杂部包括第一掺杂层和第二掺杂层，沟道部包括第一沟道部与第二沟道部，其中，第一沟道部与第一掺杂层连接，第二沟道部与第二掺杂层相连接，且第二沟道部的局部与第一掺杂层的局部重叠，从而形成台阶层叠结构。通过所形成的台阶层叠结构改变电场分布，以降低薄膜晶体管的关态漏电流，并提高器件的综合性能。
本发明授权阵列基板及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 有源层，设置在所述衬底之上，所述有源层包括沟道部以及设置在所述沟道部两侧的掺杂部； 其中，所述掺杂部包括第一掺杂层和第二掺杂层，所述第二掺杂层位于所述第一掺杂层上并与所述第一掺杂层重叠； 所述沟道部包括第一沟道部、以及位于所述第一沟道部上并与所述第一沟道部相连接的第二沟道部，所述第一沟道部与所述第一掺杂层连接，所述第二沟道部与所述第二掺杂层相连接，且所述第二沟道部的局部与所述第一掺杂层的局部重叠； 其中，所述第一掺杂层包括靠近所述沟道部的第一子层、以及相对远离所述沟道部的第二子层，所述第一子层与所述第二子层连接，所述第一子层与所述衬底之间的间距大于所述第二子层与所述衬底之间的间距； 所述第二掺杂层包括靠近所述沟道部的第三子层、以及相对远离所述沟道部的第四子层，所述第三子层与所述第四子层连接，所述第三子层与所述衬底之间的间距大于所述第四子层与所述衬底之间的间距。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号