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龙图腾网获悉弘大芯源(深圳)半导体有限公司;晋芯电子制造(山西)有限公司;晋芯先进技术研究院(山西)有限公司申请的专利一种用于制造功率集成电路的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188713B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210806229.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种用于制造功率集成电路的方法是由林和;王尧林;洪学天;赵大国;牛崇实;黄宏嘉;陈宏设计研发完成，并于2022-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于制造功率集成电路的方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种用于制造功率集成电路的方法，包括：在第一类掺杂半导体的硅衬底上生长浓度不同的第二类掺杂半导体的外延层，并在外延层上生产栅极氧化层；根据元器件与集成电路的设计，针对外延层确定不同功能区的第一类掺杂半导体掺杂浓度，根据掺杂浓度在栅极氧化层上进行光刻与离子注入，在外延层上定义不同浓度的第一类掺杂半导体区并通过退火形成低浓度区和高浓度区，在栅极氧化层上通过光刻与刻蚀形成栅极图案；在栅极氧化层上淀积难溶金属层，并在难溶金属层上进行光刻与刻蚀形成不同功能区的欧姆接触窗口；在硅衬底上形成硅化物，淀积欧姆接触金属层，光刻与刻蚀欧姆接触金属层，形成大功率硅集成电路的元器件与电路互联以及电路隔离。

本发明授权一种用于制造功率集成电路的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造功率集成电路的方法，其特征在于，所述制造功率集成电路方法包括：在第一类掺杂半导体的硅衬底上生长浓度不同的第二类掺杂半导体的外延层，并在所述外延层上生产栅极氧化层；根据元器件与集成电路的设计，针对所述第二类掺杂半导体的外延层，确定不同功能区的第一类掺杂半导体掺杂浓度，根据不同功能区的第一类掺杂半导体的掺杂浓度在所述栅极氧化层上进行光刻与离子注入，在所述第二类掺杂半导体的外延层上定义不同浓度的第一类掺杂半导体区；通过退火形成第一类掺杂半导体区的低浓度区和高浓度区，在所述栅极氧化层上通过光刻与刻蚀形成栅极图案；在所述栅极氧化层上淀积难溶金属层，并在所述难溶金属层上进行光刻与刻蚀形成不同功能区的欧姆接触窗口；在所述硅衬底上形成硅化物，淀积欧姆接触金属层，光刻与刻蚀所述欧姆接触金属层，形成大功率硅集成电路的元器件与电路互联以及电路隔离，其中，所述元器件即为所述金属氧化物半导体场效应器件、输入电阻、输出电阻、负载电阻和滤波电容；电路即为所述大功率硅集成电路的设计电路； 在栅极氧化层上淀积难溶金属层时，对所述难溶金属层进行光刻，并一次性定义功能区，所述功能区包括：金属氧化物半导体场效应晶体管区，电容器区，电阻器区和电路连接区，在所述功能区和所述难溶金属层上依次淀积氮化硅膜与氧化硅膜，而且在形成不同功能区的欧姆接触窗口之后，对所述功能区的欧姆接触窗口进行光刻与刻蚀，并在所述功能区上针对相应硅区形成硅化物，从而在所述硅化物上淀积欧姆接触金属层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人弘大芯源(深圳)半导体有限公司;晋芯电子制造(山西)有限公司;晋芯先进技术研究院(山西)有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区航城大道159号航城创新创业园A3栋201；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。