哈尔滨工业大学李兴冀获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利不同掺杂体系半导体器件的缺陷演化模拟方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206442B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210759866.5，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权不同掺杂体系半导体器件的缺陷演化模拟方法及系统是由李兴冀;杨剑群;徐晓东;吕钢;李伟奇设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本不同掺杂体系半导体器件的缺陷演化模拟方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种不同掺杂体系器件的缺陷演化模拟方法及系统，属于模拟仿真技术领域。所述方法包括：建立纯硅体系模型；向所述纯硅体系模型中引入掺杂元素，得到掺杂体系模型；基于所述掺杂体系模型，将入射粒子辐照器件后产生的初级撞出粒子的信息作为输入条件，利用分子动力学方法模拟所述器件的缺陷演化过程，输出演化结构；统计所述演化结构中的缺陷信息，并获取所述缺陷信息与所述掺杂体系模型中的掺杂信息、所述初级撞出粒子的信息之间的关系。本发明通过分子动力学方法实现了对不同掺杂体系的半导体器件缺陷演化情况的模拟，模拟过程极尽地贴合实际情况，模拟结果可与实验数据相互对比，且计算方法逻辑清晰，步骤简单且易于操作。
本发明授权不同掺杂体系半导体器件的缺陷演化模拟方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种不同掺杂体系器件的缺陷演化模拟方法，其特征在于，包括： 步骤S1，建立纯硅体系模型； 步骤S2，向所述纯硅体系模型中引入掺杂元素，得到掺杂体系模型； 步骤S3，基于所述掺杂体系模型，将入射粒子辐照器件后产生的初级撞出粒子的信息作为输入条件，利用分子动力学方法模拟所述器件的缺陷演化过程，输出演化结构； 步骤S4，统计所述演化结构中的缺陷信息，并获取所述缺陷信息与所述掺杂体系模型中的掺杂信息、所述初级撞出粒子的信息之间的关系。
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