北京北方华创微电子装备有限公司佀昊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利用于半导体工艺腔室的上电极组件及该半导体工艺腔室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050627B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210752579.1，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权用于半导体工艺腔室的上电极组件及该半导体工艺腔室是由佀昊;武小娟;王春;赵晋荣设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体工艺腔室的上电极组件及该半导体工艺腔室在说明书摘要公布了：本申请涉及用于半导体工艺腔室的上电极组件及该半导体工艺腔室。半导体工艺腔室的顶部具有陶瓷上盖，上电极组件被置于陶瓷上盖的上方，上电极组件包括吸附电源以及从上至下依次设置的控温层、射频馈入层和匀热吸附层，其中，匀热吸附层包括电极层和置于电极层下方的第一匀热层，第一匀热层均匀传递热量，电极层设置有正电极和负电极，吸附电源用于分别向正电极和负电极加载正电压和负电压，以使电极和陶瓷上盖之间形成静电引力,第一匀热层能够与陶瓷上盖紧密贴合。根据本申请的技术方案，上电极组件与陶瓷上盖的整个接触面均可压紧，提高了热量传递的效率和均匀性，并且易于拆卸维护。
本发明授权用于半导体工艺腔室的上电极组件及该半导体工艺腔室在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体工艺腔室的上电极组件，所述半导体工艺腔室的顶部具有陶瓷上盖，所述上电极组件被置于所述陶瓷上盖的上方，其特征在于，所述上电极组件包括吸附电源以及从上至下依次设置的控温层、射频馈入层和匀热吸附层，其中， 所述控温层用于对所述陶瓷上盖的温度进行控制； 所述射频馈入层与射频源电连接，以电离所述半导体工艺腔室中的气体； 所述匀热吸附层包括电极层和位于所述电极层下方的第一匀热层，所述第一匀热层用于均匀传递热量，所述电极层设置有正电极和负电极，所述吸附电源用于分别向所述正电极和所述负电极加载正电压和负电压，以使所述正电极和负电极分别与所述陶瓷上盖之间形成静电引力； 所述匀热吸附层还包括第二匀热层，所述第二匀热层置于所述电极层上方，所述第二匀热层用于均匀传递热量。
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