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中国科学院理化技术研究所陈金平获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院理化技术研究所申请的专利含硅多苯基硫鎓盐单分子树脂及其光刻胶组合物获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115850316B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111123158.4,技术领域涉及:C07F7/08;该发明授权含硅多苯基硫鎓盐单分子树脂及其光刻胶组合物是由陈金平;王亚珂;李嫕;于天君;曾毅设计研发完成,并于2021-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。

含硅多苯基硫鎓盐单分子树脂及其光刻胶组合物在说明书摘要公布了:本发明公开了一种含硅多苯基硫鎓盐单分子树脂及其光刻胶组合物,所述树脂具有式I或式II所示的化合物。在式I或式II所示的化合物结构中,同时含有硫鎓盐和羟基或酸敏感的基团,因此所述化合物可以同时具有产酸和酸交联或酸敏感双重功能,其既可以作为光刻胶的产酸剂,又可以作为光刻胶的主体材料。式I或式II所示的化合物特殊的结构有助于实现对酸扩散的调控和边缘粗糙度的有效降低。

本发明授权含硅多苯基硫鎓盐单分子树脂及其光刻胶组合物在权利要求书中公布了:1.一种化合物,其特征在于,具有如下式I或式II所示的结构: 其中,式I或式II中,R0、Ra1~Ra12相同或不同,各自独立地选自氢原子、羟基、C1-15烷氧基或-ORb,所述Rb为具有酸敏感性的基团; 式I或式II中,硫鎓盐基团,即-SRC1RC2或者-SRC3RC4,独立地位于邻位、对位或间位;RC1~RC5相同或者不同,各自独立地选自未取代或任选被一个、两个或更多个Rs1取代的如下基团:C1-15烷基、C3-20环烷基、C6-20芳基、5-20元杂芳基、3-20元杂环基、-C1-15烷基-C6-20芳基、-C1-15烷基-5-20元杂芳基、-C1-15烷基-CO-C6-20芳基、-C1-15烷基-CO-5-20元杂芳基、-C1-15烷基-CO-C1-15烷基、-C1-15烷基-CO-C3-20环烷基; Rs1选自NO2、卤素、C1-15烷基、C1-15烷氧基、C3-20环烷基、C6-20芳基、5-20元杂芳基; X–为阴离子,选自卤素离子、羧酸根、硫酸根、烷基磺酸根、卤代烷基磺酸根、对甲苯磺酸根、磺酰胺的阴离子、四氟硼酸根、六氟磷酸根或双三氟甲烷磺酰亚氨离子; 所述具有酸敏感性的基团为-CR1-O-R1、-CO-O-R1、-CH2-CO-O-R1、 其中R1相同或不同,独立地选自未取代或任选被一个、两个或更多个Rs2取代的如下基团:C1-15烷基,C3-20环烷基、C7-20桥环基;的环上任选被一个、两个或更多个Rs2取代;其中m为1至4的任一整数、表示连接键; Rs2相同或不同,彼此独立地选自如下基团:C1-8烷基、C1-8烷氧基、C3-10环烷基。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院理化技术研究所,其通讯地址为:100190 北京市海淀区中关村东路29号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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