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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116938B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110296833.7，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈海洋;刘欢;赵颖石设计研发完成，并于2021-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供具有第一金属层的基底；在基底上形成第一介质层；在第一介质层上形成第一掩膜结构；形成覆盖第一掩膜结构的平坦层；在平坦层上形成第二掩膜结构；以第二掩膜结构为掩膜刻蚀平坦层，在平坦层中形成暴露出部分所述第一掩膜结构的侧壁和顶部表面的第一开口；在第一开口的底部和侧壁表面形成保护层；沿第一开口刻蚀部分厚度的第一介质层，在第一介质层内形成初始通孔；去除所述平坦层；以第一掩膜结构为掩膜刻蚀第一介质层，在第一介质层内形成若干沟槽和通孔，通孔暴露出第一金属层。本发明提供的形成方法所形成的半导体结构，有利于提高电学性能和可靠性。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底内形成有第一金属层； 在所述基底上形成第一介质层； 在所述第一介质层上形成氧化层； 在所述氧化层上形成具有沟槽图形开口的第一掩膜结构，所述沟槽图形开口向第一方向延伸； 形成覆盖所述第一掩膜结构的平坦层； 在所述平坦层上形成具有通孔图形开口的第二掩膜结构，所述通孔图形开口位于部分所述沟槽图形开口上方，且在第二方向上，所述通孔图形开口的尺寸大于所述沟槽图形开口的尺寸，所述第二方向垂直于所述第一方向； 以所述第二掩膜结构为掩膜刻蚀所述平坦层，直至暴露出所述氧化层，在所述平坦层中形成第一开口，所述第一开口还暴露出部分所述第一掩膜结构的侧壁和顶部表面； 在所述第一开口的底部和侧壁表面形成保护层，所述保护层覆盖所述第一开口暴露出的所述氧化层的表面； 沿所述第一开口刻蚀所述氧化层以及部分厚度的所述第一介质层，在所述第一介质层内形成初始通孔； 去除所述平坦层； 以所述第一掩膜结构为掩膜刻蚀所述第一介质层，在所述第一介质层内形成若干沟槽和通孔，所述通孔暴露出所述第一金属层。

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