联华电子股份有限公司许博凯获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利存储器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114974339B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110198021.9，技术领域涉及：G11C11/16；该发明授权存储器阵列是由许博凯;王慧琳;周坤亿;许清桦;范儒钧;林奕佑;陈宏岳设计研发完成，并于2021-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器阵列在说明书摘要公布了：本发明公开一种存储器阵列，包含至少一带区域，包含多个源极线带和多个字线带；至少两个子阵列，包含多个交错的主动磁存储元件，其中，所述至少两个子阵列被所述带区域分开；以及多个交错的虚设磁存储元件，设置在所述带区域内。
本发明授权存储器阵列在权利要求书中公布了：1.一种存储器阵列，其特征在于，包含： 至少一带区域，包含多个不连续的源极线带和多个不连续的字线带； 至少两个子阵列，包含多个交错的主动磁存储元件，其中，所述至少两个子阵列被所述至少一带区域分开，所述至少两个子阵列中的一个子阵列设置在所述至少一带区域上侧，且所述至少两个子阵列中的另一子阵列设置在所述至少一带区域下侧； 多条共用源极线，在所述至少两个子阵列内沿着第二方向延伸，其中所述多条共用源极线中从所述至少一带区域上侧的所述至少两个子阵列中的所述一个子阵列延伸的一条共用源极线与所述多条共用源极线中从所述至少一带区域下侧的所述至少两个子阵列中的所述另一子阵列延伸的一条共用源极线断开且电连接到所述多个不连续的源极线带中的一个源极线带；以及 多个交错的虚设磁存储元件，设置在所述至少一带区域内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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