中国电子科技集团公司第二十四研究所谭开洲获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利半导体改进结构及功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114792717B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110101143.1，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体改进结构及功率半导体器件是由谭开洲;蒋和全;张培健;肖添;钟怡;王健安;王育新;杨永晖;崔伟;张霞;黄东设计研发完成，并于2021-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体改进结构及功率半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体改进结构及功率半导体器件，在现有半导体元胞结构的基础上，于漂移区旁增设一个由高介电常数介质形成的类金属场板，通过该类金属场板调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布，能获得更高的击穿电压；同时，其工艺相对其他现有高压低漂移区导通电阻半导体元胞结构更容易实现，降低了同样的电压因电荷失配导致的损失，包括介质层电荷引起的失配，这对降低工艺实施难度和工艺能力的要求，提高成品率有很大冗余度和好处，同时也提高了该结构工作的稳定性。
本发明授权半导体改进结构及功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体改进结构，其特征在于，至少包括： 高掺杂半导体材料区； 外延层，设置在所述高掺杂半导体材料区上，其内形成有深槽，且所述深槽垂直进入所述高掺杂半导体材料区里； 有源器件区，设置在所述外延层上； 介质绝缘层，设置在所述深槽的侧壁及底部上； 高介电常数介质，设置填充在所述深槽内，且与所述介质绝缘层接触； 第一电极，设置在所述高介电常数介质的上方且与所述高介电常数介质接触； 其中，所述深槽垂直伸入所述高掺杂半导体材料区里的深度的判据标准为：使得所述有源器件区与所述外延层界面下击穿前的最高电场与所述外延层、所述介质绝缘层、所述高掺杂半导体材料区三者交会点的所述外延层一侧位置的最高电场相等； 其中，所述高介电常数介质的介电常数大于200；所述高介电常数介质形成一场板结构，而且是变介质厚度的类金属斜场板，通过所述类金属斜场板的电场分布能有效调制导通态漂移区电导和截止态高压阻断电场分布。
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