苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利发光器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116438667B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080106894.6，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权发光器件及其制备方法是由程凯设计研发完成，并于2020-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光器件及其制备方法在说明书摘要公布了：一种发光器件及发光器件的制备方法。该发光器件的制备方法包括：提供一外延基底1，所述外延基底1具有第一凹陷部101，所述第一凹陷部101的内表面为曲面；在所述外延基底1上外延生长发光结构层2，所述发光结构层2包括相对的第一表面204与第二表面205，所述第二表面205朝所述第一凹陷部101凸起；在所述第一表面204形成第一反射镜层3；去除所述外延基底1，形成覆盖所述第二表面205的第二反射镜层8。本方法能够形成曲面谐振腔。
本发明授权发光器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供一外延基底1，所述外延基底1具有第一凹陷部101，所述第一凹陷部101的内表面为曲面； 在所述外延基底1上外延生长发光结构层2，所述发光结构层2包括相对的第一表面204与第二表面205，所述第二表面205朝所述第一凹陷部101凸起； 在所述第一表面204形成第一反射镜层3； 去除所述外延基底1，形成覆盖所述第二表面205的第二反射镜层8； 其中，所述发光结构层2还包括连接所述第一表面204和所述第二表面205的侧壁，形成覆盖所述第二表面205的第二反射镜层8包括： 形成覆盖所述发光结构层2的侧壁和所述第二表面205的第二反射镜层8。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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