苏州晶湛半导体有限公司郭志中获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利谐振腔发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116210093B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080100005.5，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权谐振腔发光二极管及其制备方法是由郭志中;张丽旸设计研发完成，并于2020-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本谐振腔发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种谐振腔发光二极管及其制备方法。该谐振腔发光二极管可以包括发光结构层、第一反射镜层以及第二反射镜层。该发光结构层包括相对的第一表面与第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁。该第一反射镜层设于第一表面。该第二反射镜层覆盖发光结构层的侧壁的至少部分区域和第二表面，且第二反射镜层为绝缘材料。本公开能够解决由于发光结构层的侧壁受损所导致的器件性能降低的问题，同时减少了制造绝缘保护层的步骤，节约了成本。
本发明授权谐振腔发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种谐振腔发光二极管，其特征在于，包括： 发光结构层5，包括相对的第一表面504与第二表面505以及连接所述第一表面504和所述第二表面505的侧壁506； 第一反射镜层4，设于所述第一表面504； 第二反射镜层6，覆盖所述发光结构层5的侧壁506的至少部分区域和所述第二表面505，且所述第二反射镜层6为绝缘材料； 导电支撑层2，设于所述发光结构层5远离所述第二反射镜层6的一侧，所述导电支撑层2包覆所述第一反射镜层4，且与所述发光结构层5的所述第一表面504接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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