苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116134631B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080104996.4，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权半导体结构及其制备方法是由程凯;刘慰华设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其制备方法。该半导体结构包括沿垂直方向设置在衬底上的N型半导体层；所述N型半导体层上沿水平方向形成有至少一个多量子阱结构，在每个所述多量子阱结构的上方、以及至少部分侧面形成有P型半导体层；每一所述多量子阱结构包括沿垂直方向依次层叠的多个半导体层，以及形成于相邻的两个所述半导体层之间的多量子阱单元；所述P型半导体层沿垂直方向与所述多量子阱结构的每一所述半导体层均接触。该制备方法用于制备该半导体结构。本申请能够实现P型半导体层所提供载流子的注入方式为侧向注入载流子到设计的每个多量子阱结构的有源区发光区中，从而最终形成具有多发光波长的GaN基LED结构材料。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，其包括： 衬底； N型半导体层，所述N型半导体层设置在所述衬底上； 多量子阱结构，所述多量子阱结构设置于所述N型半导体层上，所述多量子阱结构包括依次层叠的多个半导体层，以及形成于相邻的两个所述半导体层之间的多量子阱单元；所述多量子阱结构的所述半导体层包括周期层叠设置的第一子半导体层和第二子半导体层，所述第一子半导体层和第二子半导体层之间形成有所述多量子阱单元，其中，所述第一子半导体层中含有铟；所述多量子阱结构的所述多个半导体层中的每一所述半导体层的铟的摩尔含量各不相同； P型半导体层，所述P型半导体层设置在所述多量子阱结构的上方、以及至少部分侧面，所述P型半导体层与所述多量子阱结构的每一所述半导体层均接触。
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