中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司刘娜获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利光学邻近修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114253064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010999790.4，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权光学邻近修正方法是由刘娜;李亮;杜杳隽;王兰芳设计研发完成，并于2020-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学邻近修正方法在说明书摘要公布了：一种光学邻近修正方法，包括：提供基底，基底上具有若干缺陷图形；提供初始版图；获取初始图形与缺陷图形的重叠区域；在初始版图中去除重叠区域，获取第一版图；根据重叠区域获取第二版图；对第一版图进行若干次第一光学邻近修正，获取初始第一光学邻近修正版图；根据初始第一光学邻近获取第一光强分布；根据第二版图获取第二光强分布；对第一光强分布与第二光强分布进行处理获取第三光强分布；根据第三光强分布获取第一曝光图像。通过重叠区域获取第二版图，将所述基底中的缺陷图形所产生的光学散射影响全部考虑在光学邻近修正的过程中，避免了对初始版图中的初始图形进行位置或形貌的调整，有效的增加了光学邻近修正的适用范围。
本发明授权光学邻近修正方法在权利要求书中公布了：1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底上具有若干缺陷图形； 提供初始版图，所述初始版图中包括若干初始图形； 将所述初始版图与所述基底进行重叠对比，获取所述初始图形与缺陷图形的重叠区域； 在所述初始版图中去除所述重叠区域，获取第一版图，所述第一版图中包括若干与所述初始图形对应的第一图形； 根据所述重叠区域获取第二版图，所述第二版图中包括若干第二图形，所述第二图形与所述重叠区域的位置和形状相同； 对所述第一版图进行若干次第一光学邻近修正，获取初始第一光学邻近修正版图； 对所述初始第一光学邻近修正版图进行曝光处理，获取第一光强分布； 对所述第二版图进行曝光处理，获取第二光强分布； 对所述第一光强分布与所述第二光强分布进行叠加处理，获取第三光强分布； 根据所述第三光强分布获取第一曝光图像，所述第一曝光图像中包括若干第一曝光图形。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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