中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵琼洋获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141604B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010923218.X，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵琼洋;王安妮设计研发完成，并于2020-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：基底；位于所述基底上的功函数层，所述功函数层内含有铝元素，所述功函数层包括相对的第一面和第二面，所述第一面与基底表面的距离小于第二面与基底表面的距离，且沿着第一面到第二面的方向，所述功函数层内铝原子的摩尔百分比浓度减小。由于底部的功函数层铝原子的摩尔百分比浓度越高，越有利于降低形成的器件的阈值电压，使得在不改变功函数层厚度的情况下，提高调整器件阈值电压的能力。同时，顶部的功函数层铝原子的摩尔百分比浓度较低，有利于降低铝原子在功函数层内聚积的几率。所述结构能够提高调整器件阈值电压的能力，从而提高形成的半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底； 位于所述基底上的功函数层，所述功函数层内含有铝元素和氧元素，所述功函数层包括相对的第一面和第二面，所述第一面与基底表面的距离小于第二面与基底表面的距离，且沿着第一面到第二面的方向，所述功函数层内铝原子的摩尔百分比浓度减小，所述功函数层内氧原子的摩尔百分比浓度减小； 位于功函数层表面的阻挡层；位于功函数层和基底之间的保护层； 所述功函数层和保护层相接触界面处所述功函数层内的氧原子的摩尔百分比浓度，大于所述功函数层和阻挡层相接触界面处所述功函数层内的氧原子的摩尔百分比浓度。
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