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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068409B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010768546.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的形成方法是由涂武涛;陈建;邱晶;李锦锦设计研发完成，并于2020-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，提供基底；在基底上形成介质层，介质层内具有第一开口和第二开口；在第一开口和第二开口内形成初始栅介质层；在第一开口和第二开口内的初始栅介质层表面形成第一初始功函数层；去除第一开口内的第一初始功函数层和部分初始栅介质层，形成第一栅介质层；在第一开口和第二开口内形成第二初始功函数层；去除第二开口内的第一初始功函数层、第二初始功函数层以及部分初始栅介质层，形成第二栅介质层。通过不同的制程步骤分别形成第一栅介质层和第二栅介质层，使得第一栅介质层和第二栅介质层的高度可以分别进行调整控制，进而保证最终形成的第一栅介质层和第二栅介质层的高度一致，以此提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底； 在所述基底上形成介质层，所述介质层内具有第一开口和第二开口； 分别在所述第一开口和所述第二开口内形成初始栅介质层； 分别在所述第一开口和所述第二开口内的初始栅介质层表面形成第一初始功函数层； 去除位于所述第一开口内的所述第一初始功函数层和部分所述初始栅介质层，形成第一栅介质层，所述第一栅介质层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面； 分别在所述第一开口和所述第二开口内形成第二初始功函数层，在所述第一开口内，所述第二初始功函数层位于所述第一栅介质层表面，在所述第二开口内，所述第二初始功函数层位于所述第一初始功函数层表面； 去除位于所述第二开口内的所述第一初始功函数层、第二初始功函数层以及部分所述初始栅介质层，形成第二栅介质层，所述第二栅介质的顶部表面低于所述介质层的顶部表面；其中， 所述第一栅介质层和所述第二栅介质层的高度一致； 去除位于所述第一开口内的所述第一初始功函数层和部分所述初始栅介质层的方法包括：在所述第一开口内形成第一初始牺牲层；去除位于所述第一开口内的部分所述第一初始牺牲层，形成第一牺牲层，所述第一牺牲层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面；以所述第一牺牲层为掩膜刻蚀所述第一初始功函数层和所述初始栅介质层，形成第一栅介质层与第一功函数层；在形成所述第一栅介质层之后，去除所述第一牺牲层和所述第一功函数层； 去除位于所述第二开口内的所述第一初始功函数层、第二初始功函数层以及部分所述初始栅介质层的方法包括：在所述第二开口内形成第二初始牺牲层；去除位于所述第二开口内的部分所述第二初始牺牲层，形成第二牺牲层，所述第二牺牲层的顶部表面低于所述介质层的顶部表面；以所述第二牺牲层为掩膜刻蚀所述第二初始功函数层、第一初始功函数层和初始栅介质层，形成第二栅介质层、第二功函数层和第一功函数层；在形成所述第二栅介质层之后，去除所述第二牺牲层、第二功函数层和第一功函数层。

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