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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010724368.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的形成方法是由刘盼盼;王彦;张海洋设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区；在第一区上形成第一栅极结构，在第一栅极结构两侧的衬底内形成第一源漏掺杂区，在衬底上形成位于第一栅极结构侧壁表面和顶部表面的介质结构；在第一区上的介质结构内形成暴露出第一源漏掺杂区表面的第一开口；在第一开口侧壁表面和底部表面形成初始隔离层；对第一源漏掺杂区进行第一离子注入；在第一离子注入之后，在衬底上形成暴露出第一区的掩膜层；以掩膜层为掩膜对第一源漏掺杂区进行第二离子注入；在第二离子注入之后，去除掩膜层；去除掩膜层之后，回刻蚀初始隔离层，直至暴露出第一源漏掺杂区表面，在第一开口侧壁形成第一隔离层。所述方法形成的半导体结构性能得到提升。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区； 在第一区上形成第一栅极结构，在第一栅极结构两侧的衬底内形成第一源漏掺杂区，在衬底上形成介质结构，所述介质结构位于所述第一栅极结构侧壁表面和顶部表面； 在第一区上的介质结构内形成第一开口，所述第一开口暴露出所述第一源漏掺杂区表面； 在第一开口侧壁表面和底部表面形成初始隔离层； 对所述初始隔离层底部的第一源漏掺杂区进行第一离子注入，所述第一离子注入工艺的第一离子包括第四主族离子或惰性气体离子； 在进行第一离子注入之后，在衬底上形成掩膜层，所述掩膜层暴露出所述第一区； 以所述掩膜层为掩膜，对所述初始隔离层底部的第一源漏掺杂区进行第二离子注入； 在进行第二离子注入之后，去除所述掩膜层； 去除所述掩膜层之后，回刻蚀所述初始隔离层，直至暴露出第一源漏掺杂区表面，在第一开口侧壁形成第一隔离层； 在所述第一开口内形成第一导电结构，所述第一导电结构与所述第一源漏掺杂区电连接。

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